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标题: "ODCC分享 | 正泰金帅：AIDC供电体系演进与直流保护技术变革"
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在ODCC 2026夏季全会数据中心设施工作组会议上，正泰数据中心行业首席系统架构师金帅发表《Grid to Chip：AIDC供电体系演进与保护技术变革》主题演讲，围绕AI数据中心高密供电架构演进、DC800V直流供电路径以及直流保护体系重构等内容，分享了正泰在AIDC供配电系统方向的技术思考。

主题演讲

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/sz_mmecoa_png/q76SxfS4lFOJcoPG3vNCjnabZLmTHxzpm9Sru6UoJ3OQWBHQaV3U90Q6P7vdVOOj1sKwXEptMuAFSsqicdvdmUGj3fGCP86FSJzSBX3gemGk/640?wx_fmt=png&from=appmsg)

金帅

正泰数据中心行业首席系统架构师

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/mmecoa_jpg/q76SxfS4lFNVctExm6BtSRUlWWASHpyb2kn3SMOTQMbSTgoPnCoIVRNOQMG8IEzr2hQLAgicicWGY7rc7EDPI0A8YQHUmuT717rH2GAVn38U8/640?wx_fmt=jpeg&from=appmsg)

AI高密负载推动供电架构向DC800V演进

随着AI训练与推理规模持续扩大，智算中心单机柜功率正从传统通算时代的几千瓦，快速提升至百千瓦级，并进一步向数百千瓦甚至更高功率密度演进。更高的机柜功率、更大的GPU集群规模以及更剧烈的负载波动，正在推动数据中心供电体系从传统低压交流架构，向更高电压等级、更短转换链路、更强动态响应能力的方向演进。

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/mmecoa_jpg/q76SxfS4lFPWPtNeicZZX7v7P7R4qibtAg9LY9OwA8G05mA78CQ7zVQFDob4CKDq6NQNSKj2uK9GqQ7vck2ibom1hsv3biaLjuzp0VTbpbxDiaOc/640?wx_fmt=jpeg&from=appmsg)

演讲指出，未来AIDC供电架构将逐步形成“Grid to Chip”的演进趋势，即从电网侧、中压侧、变换侧、直流母线侧一直到机柜和芯片侧，供电系统需要被作为一个完整链路进行重新设计。在这一过程中，DC800V直流供电、Sidecar配电外移、SST固态变压器、储能单元以及电力电子保护装置，将成为关键技术方向。

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/sz_mmecoa_jpg/q76SxfS4lFOkicJ9BoGUQZjeibpk4APkXhavkfWFb4sd3QB3WyqN0Ojjn0qAGp4SaumYMz8kIklSJELRxA4H8E6LzibhNsVNeiaQiaccqbLdibiblA/640?wx_fmt=jpeg&from=appmsg)

直流保护成为AIDC供电体系的核心挑战

相比供电架构本身，AIDC时代更深层的变化在于保护体系的重构。

在传统交流系统中，保护设计很大程度上依赖电流自然过零、机械断路器动作以及上下级时间级差配合。而在DC800V直流系统中，电流不存在自然过零点，故障电弧更难熄灭；同时，DC-Link电容、BBU、SuperCap以及各类电力电子变换器的大量接入，使故障电流能够在微秒级快速建立。

这意味着，传统“故障发生—电流上升—机械断路器动作—上下级选择性配合”的保护逻辑，已经难以完全适应高密度AIDC场景。演讲提出，AI时代的保护设计正在从“故障切除”走向“故障控制”，保护系统不仅要切断故障，更要控制故障电流建立速度、故障能量释放范围和对系统电压稳定性的影响。

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/sz_mmecoa_jpg/q76SxfS4lFPkziaia3tLq8MCicE2UUllqkupS2o2z9ljv7jg1alHxDZGj292Lt9ClmuWczPKMelg1eD4ljGj6mwXc7eIdCAY66NkZJO3reqPtg/640?wx_fmt=jpeg&from=appmsg)

极性与接地是DC800V保护设计的起点

DC800V系统保护设计首先需要明确极性与接地方式。不同于传统交流系统，直流系统可采用单极800V、双极±400V等不同形态，并可结合TN-S或IT接地方式形成不同架构。

其中，TN-S系统故障检测逻辑相对清晰，接地故障可形成较明显的故障电流，保护装置能够快速动作，但首次接地故障通常需要停机处理。IT系统在首次接地故障时，由于不形成完整低阻回路，故障电流很小，系统可继续运行，但也因此不能依赖传统断路器发现故障，必须配置绝缘监测装置IMD。

演讲强调，在DC800V IT系统中，IMD不应被视为普通辅助监测设备，而应被定义为保护体系的起点。其作用不仅是监测绝缘电阻，更是支撑系统首次接地故障不停机、故障提前告警和运维定位的重要基础能力。

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/sz_mmecoa_jpg/q76SxfS4lFNz8vZKK1N2wc1U80kYmCFdhsXE7ZHMY1yibyzcD1GgvSFsJM4x6JydWfRfEJ5bqu49Xqk3hIvicat8Onl1E44icoSDqEa3QzGBB0/640?wx_fmt=jpeg&from=appmsg)

IMD从“监测装置”升级为IT系统第一道防线

在IT系统中，绝缘老化、机械损伤或局部受潮等问题，可能首先表现为系统对地绝缘电阻下降。当第一次接地故障发生时，故障电流通常只有mA级，无法驱动断路器动作，系统仍会保持带电运行。

因此，IMD需要通过主动信号注入等方式，持续监测直流系统对地绝缘状态，并在绝缘电阻低于设定阈值时及时告警。进一步结合EDS故障定位功能后，系统还可以识别故障支路，帮助运维人员在不停机或少停机的条件下完成故障排查。

面向800V时代，IMD需要具备更高电压等级下的绝缘监测能力、更强抗干扰能力、更宽测量范围以及通信和可视化能力。随着AIDC供电系统复杂度提升，IMD将从单一监测元件，逐步成为直流保护体系中的关键节点。

![图片](https://mmecoa.qpic.cn/mmecoa_jpg/q76SxfS4lFOTkRgIwGU6CkWHZibOuCGKvrPj0lWnN6lqCBc1kRicfvcsCenMW02MCebbk7DYXl2NBRRg6tBQV9iaB9sBBq7icPwCojicFibZV5S8E/640?wx_fmt=jpeg&from=appmsg)

SSCB与DCCB不是简单替代关系，而是分层协同关系

在直流保护装置方面，演讲对熔断器、机械断路器、直流断路器DCCB、混合式固态断路器以及全固态断路器SSCB进行了对比。

传统熔断器和机械断路器具有成本和成熟度优势，但动作时间通常处于毫秒级到百毫秒级。对于故障电流微秒级建立的DC800V系统而言，仅依赖传统机械保护，将存在保护空窗期。SSCB和混合式固态断路器的价值，并不是简单替代所有断路器，而是在关键节点填补微秒级到毫秒级之间的快速保护空窗。

因此，未来AIDC直流保护体系更可能采用分层协同方式：主干和大容量回路采用DCCB承担主保护和隔离功能；靠近电力电子设备、储能单元、BBU、SuperCap以及机柜侧的关键支路，则根据故障电流上升速度和能量特征配置SSCB或混合式固态断路器，实现快速限流、快速隔离和故障能量控制。

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保护器件选型应基于故障行为，而不是只看储能容量

演讲进一步提出，AIDC供电系统中不同设备的故障行为存在明显差异，不能简单根据设备容量或储能容量选择保护器件。

对于带快速电子保护的电源模块、BBU DC/DC等自保护型设备，故障发生后通常会在微秒级检测并退出，后续故障贡献较小。对于SST、DAB、PSFB、LLC等限流型电力电子设备，故障初期仍可能存在电容放电峰值，但随后进入限流状态，故障电流被限制在一定范围内。对于二极管整流、SCR整流、传统UPS整流器等持续馈流型设备，故障后可能持续向故障点供能，故障能量积累风险更高。

因此，保护设计的关键不是“储能有多大”，而是要判断故障后设备到底是快速自关断、进入限流，还是持续馈流。演讲总结指出：储能决定故障能量上限，换流器决定故障行为特征；保护器件选型应基于故障行为，而非单纯基于储能容量。

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Grid to Chip保护体系需要分层识别故障能量与di/dt特征

从Grid到Chip，不同位置的故障特征也并不相同。越靠近电网侧，故障电流能量越大、持续时间越长；越靠近芯片侧，故障电流上升速度越快、持续时间越短，但对局部设备冲击更直接。

例如，在电网侧、BESS侧和DC总配侧，保护重点是控制大能量故障和持续馈流风险；在Sidecar、列级配电、BBU和SuperCap侧，保护重点则逐渐转向快速di/dt识别、短时间电流峰值控制和关键支路快速隔离；到IT负载和芯片侧，故障建立时间可能进一步缩短，对保护响应速度和局部隔离能力提出更高要求。

因此，AIDC保护体系不能只按照传统配电层级进行配置，而应结合故障容量、di/dt、储能位置、换流器响应特性和系统冗余架构，形成从电网到芯片的全链路保护配合策略。

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选择性保护需要方向、速度、储能与架构共同配合

在DC800V系统中，传统基于时间级差的选择性保护方式面临挑战。由于故障电流建立极快，多源储能和电力电子设备又可能从不同方向向故障点馈入能量，保护系统需要更复杂的判断逻辑。

演讲提出，未来直流选择性保护可从四个方向实现协同：一是方向选择性，通过检测电流方向判断故障支路，避免健康支路误跳；二是快速保护，通过SSCB等高速保护装置降低故障能量释放时间；三是增加电容或储能缓冲，在保护动作期间维持母线电压稳定，为保护装置争取动作时间；四是采用冗余母线或独立回路架构，从系统层面限制故障影响范围。

这意味着，DC800V保护体系不再是单个断路器能够独立完成的任务，而是方向识别、快速切断、能量缓冲和系统冗余共同作用的结果。

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从保护装置走向保护平台

面向未来AIDC，保护能力也将从单一装置能力，进一步演进为系统级平台能力。

正泰介绍了面向AI数据中心的端到端DC800V供配电解决方案，覆盖能源接入、中低压配电、电能变换、直流保护、机柜供电以及数字化平台等环节。其中，DCCB、SSCB、SST、Sidecar、PCS、rPDU、小母线等设备，将共同支撑高密度智算场景下的高效供电与安全保护。

同时，依托“泰无界”数字化平台，未来可进一步接入供电设备运行数据、保护动作数据、储能SOC、负载功率、冷却系统状态以及算力任务计划，实现状态监测、故障预警、能效优化和算电协同。演讲提出，数字化正在成为保护体系的一部分，未来保护系统不仅要在故障发生后动作，也要在风险形成前提前识别、提前预警和辅助决策。

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未来，正泰将持续参与ODCC在DC800V供电架构、IT系统绝缘监测、直流保护配合、固态断路器应用及相关研究方面的工作，与产业链伙伴共同推动AIDC供配电技术演进，为高密度智算基础设施提供更加安全、高效、可靠的电力支撑。

ODCC设施工作组联系人

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张老师 18434306206

邮箱 zhangjiaqi1@caict.ac.cn

朱老师 13931051252

邮箱 zhuzihou@caict.ac.cn

ODCC秘书处联系人

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刘老师 13488889649

邮箱 liupengyun@caict.ac.cn

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